| номер части | APT90DR160HJ |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип диода | Single Phase |
| Технологии | Standard |
| Напряжение - Реверс пика (макс.) | 1600V |
| Текущий - средний отрегулированный (Io) | - |
| Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если | 1.3V @ 90A |
| Текущий - обратный утечек @ Vr | 50µA @ 1600V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Chassis, Stud Mount |
| Упаковка / чехол | SOT-227-4, miniBLOC |
| Пакет устройств поставщика | SOT-227 |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
APT90DR160HJ | Microsemi Corporation | DIODE MODULE 1.6V SOT227 | - | 0 | подробности |
 |
APT94N60L2C3G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 94A TO264 | - | 17 | подробности |
 |
APT94N65B2C3G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 650V 94A TO-247 | - | 0 | подробности |
 |
APT94N65B2C6 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 650V 95A T-MAX | - | 358 | подробности |
 |
APT95GR65B2 | Microsemi Corporation | IGBT 650V 208A 892W T-MAX | - | 60 | подробности |
 |
APT95GR65JDU60 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | - | 0 | подробности |
|
APT97N65LC6 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 650V 97A TO-264 | - | 0 | подробности |
 |
APT9F100B | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247 | - | 6 | подробности |
 |
APT9F100S | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 9A D3PAK | - | 0 | подробности |
 |
APT9M100B | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247 | - | 0 | подробности |
