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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | APT90DR160HJ |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Dioden-Typ | Single Phase |
| Technologie | Standard |
| Spannung - Spitzenrücklauf (Max) | 1600V |
| Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | - |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 90A |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 50µA @ 1600V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Chassis, Stud Mount |
| Paket / Fall | SOT-227-4, miniBLOC |
| Lieferantengerätepaket | SOT-227 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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APT90DR160HJ | Microsemi Corporation | DIODE MODULE 1.6V SOT227 | - | 0 | Einzelheiten |
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APT94N60L2C3G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 94A TO264 | - | 17 | Einzelheiten |
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APT94N65B2C3G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 650V 94A TO-247 | - | 0 | Einzelheiten |
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APT94N65B2C6 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 650V 95A T-MAX | - | 358 | Einzelheiten |
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APT95GR65B2 | Microsemi Corporation | IGBT 650V 208A 892W T-MAX | - | 60 | Einzelheiten |
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APT95GR65JDU60 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | - | 0 | Einzelheiten |
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APT97N65LC6 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 650V 97A TO-264 | - | 0 | Einzelheiten |
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APT9F100B | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247 | - | 6 | Einzelheiten |
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APT9F100S | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 9A D3PAK | - | 0 | Einzelheiten |
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APT9M100B | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247 | - | 0 | Einzelheiten |