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| Numéro d'article | APT90DR160HJ |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type de diode | Single Phase |
| La technologie | Standard |
| Tension - Peak Reverse (Max) | 1600V |
| Courant - Rectifié moyen (Io) | - |
| Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 90A |
| Courant - Fuite inverse @ Vr | 50µA @ 1600V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Chassis, Stud Mount |
| Paquet / cas | SOT-227-4, miniBLOC |
| Package de périphérique fournisseur | SOT-227 |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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APT90DR160HJ | Microsemi Corporation | DIODE MODULE 1.6V SOT227 | - | 0 | Détails |
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APT94N60L2C3G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 94A TO264 | - | 17 | Détails |
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APT94N65B2C3G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 650V 94A TO-247 | - | 0 | Détails |
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APT94N65B2C6 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 650V 95A T-MAX | - | 358 | Détails |
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APT95GR65B2 | Microsemi Corporation | IGBT 650V 208A 892W T-MAX | - | 60 | Détails |
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APT95GR65JDU60 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | - | 0 | Détails |
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APT97N65LC6 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 650V 97A TO-264 | - | 0 | Détails |
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APT9F100B | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247 | - | 6 | Détails |
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APT9F100S | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 9A D3PAK | - | 0 | Détails |
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APT9M100B | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247 | - | 0 | Détails |