Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
| Parça numarası | APT90DR160HJ |
|---|---|
| Parça Durumu | Active |
| Diyot Türü | Single Phase |
| teknoloji | Standard |
| Gerilim - Tepe Geriye (Maks) | 1600V |
| Akım - Ortalama Düzeltilmiş (Io) | - |
| Gerilim - İleri (Vf) (Maks) @ If | 1.3V @ 90A |
| Akım - Geriye Ters Kaçak @ Vr | 50µA @ 1600V |
| Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montaj tipi | Chassis, Stud Mount |
| Paket / Durum | SOT-227-4, miniBLOC |
| Tedarikçi Aygıt Paketi | SOT-227 |
| görüntü | Parça numarası | Üreticiler | Açıklama | Stokta var | Görünüm | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
APT90DR160HJ | Microsemi Corporation | DIODE MODULE 1.6V SOT227 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
APT94N60L2C3G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 94A TO264 | - | 17 | ayrıntılar |
 |
APT94N65B2C3G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 650V 94A TO-247 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
APT94N65B2C6 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 650V 95A T-MAX | - | 358 | ayrıntılar |
 |
APT95GR65B2 | Microsemi Corporation | IGBT 650V 208A 892W T-MAX | - | 60 | ayrıntılar |
 |
APT95GR65JDU60 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | - | 0 | ayrıntılar |
|
APT97N65LC6 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 650V 97A TO-264 | - | 0 | ayrıntılar |
 |
APT9F100B | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247 | - | 6 | ayrıntılar |
 |
APT9F100S | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 9A D3PAK | - | 0 | ayrıntılar |
 |
APT9M100B | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247 | - | 0 | ayrıntılar |