| номер части | APT95GR65B2 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип IGBT | NPT |
| Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) | 650V |
| Ток - коллектор (Ic) (макс.) | 208A |
| Текущий - коллектор импульсный (Icm) | 400A |
| Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 95A |
| Мощность - макс. | 892W |
| Энергия переключения | 3.12mJ (on), 2.55mJ (off) |
| Тип ввода | Standard |
| Ворота затвора | 420nC |
| Td (вкл. / Выкл.) При 25 ° C | 29ns/226ns |
| Условия тестирования | 433V, 95A, 4.3 Ohm, 15V |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка / чехол | TO-247-3 |
| Пакет устройств поставщика | T-MAX™ [B2] |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
APT90DR160HJ | Microsemi Corporation | DIODE MODULE 1.6V SOT227 | - | 0 | подробности |
 |
APT94N60L2C3G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 94A TO264 | - | 17 | подробности |
 |
APT94N65B2C3G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 650V 94A TO-247 | - | 0 | подробности |
 |
APT94N65B2C6 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 650V 95A T-MAX | - | 358 | подробности |
 |
APT95GR65B2 | Microsemi Corporation | IGBT 650V 208A 892W T-MAX | - | 60 | подробности |
 |
APT95GR65JDU60 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | - | 0 | подробности |
|
APT97N65LC6 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 650V 97A TO-264 | - | 0 | подробности |
 |
APT9F100B | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247 | - | 6 | подробности |
 |
APT9F100S | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 9A D3PAK | - | 0 | подробности |
 |
APT9M100B | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247 | - | 0 | подробности |
