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| Número de pieza | APT90DR160HJ |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de diodo | Single Phase |
| Tecnología | Standard |
| Voltaje - Pico Inverso (Máx) | 1600V |
| Corriente - promedio rectificado (Io) | - |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.3V @ 90A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 50µA @ 1600V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Chassis, Stud Mount |
| Paquete / caja | SOT-227-4, miniBLOC |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SOT-227 |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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APT90DR160HJ | Microsemi Corporation | DIODE MODULE 1.6V SOT227 | - | 0 | Detalles |
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APT94N60L2C3G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 94A TO264 | - | 17 | Detalles |
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APT94N65B2C3G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 650V 94A TO-247 | - | 0 | Detalles |
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APT94N65B2C6 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 650V 95A T-MAX | - | 358 | Detalles |
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APT95GR65B2 | Microsemi Corporation | IGBT 650V 208A 892W T-MAX | - | 60 | Detalles |
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APT95GR65JDU60 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | - | 0 | Detalles |
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APT97N65LC6 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 650V 97A TO-264 | - | 0 | Detalles |
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APT9F100B | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247 | - | 6 | Detalles |
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APT9F100S | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 9A D3PAK | - | 0 | Detalles |
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APT9M100B | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247 | - | 0 | Detalles |