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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | APT95GR65B2 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| IGBT-Typ | NPT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 650V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 208A |
| Strom - Kollektorimpuls (Icm) | 400A |
| Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 95A |
| Leistung max | 892W |
| Energie wechseln | 3.12mJ (on), 2.55mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Ladung | 420nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | 29ns/226ns |
| Testbedingung | 433V, 95A, 4.3 Ohm, 15V |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | T-MAX™ [B2] |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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APT90DR160HJ | Microsemi Corporation | DIODE MODULE 1.6V SOT227 | - | 0 | Einzelheiten |
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APT94N60L2C3G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 94A TO264 | - | 17 | Einzelheiten |
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APT94N65B2C3G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 650V 94A TO-247 | - | 0 | Einzelheiten |
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APT94N65B2C6 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 650V 95A T-MAX | - | 358 | Einzelheiten |
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APT95GR65B2 | Microsemi Corporation | IGBT 650V 208A 892W T-MAX | - | 60 | Einzelheiten |
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APT95GR65JDU60 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | - | 0 | Einzelheiten |
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APT97N65LC6 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 650V 97A TO-264 | - | 0 | Einzelheiten |
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APT9F100B | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247 | - | 6 | Einzelheiten |
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APT9M100B | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247 | - | 0 | Einzelheiten |