Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.
| Một phần số | APT95GR65B2 |
|---|---|
| Trạng thái phần | Active |
| Loại IGBT | NPT |
| Điện áp - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 208A |
| Hiện tại - Collector Pulsed (Icm) | 400A |
| VCE (bật) (tối đa) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 95A |
| Sức mạnh tối đa | 892W |
| Chuyển đổi năng lượng | 3.12mJ (on), 2.55mJ (off) |
| Kiểu đầu vào | Standard |
| Phụ trách cổng | 420nC |
| Td (bật / tắt) @ 25 ° C | 29ns/226ns |
| Điều kiện kiểm tra | 433V, 95A, 4.3 Ohm, 15V |
| Thời gian phục hồi ngược (trr) | - |
| Nhiệt độ hoạt động | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Kiểu lắp | Through Hole |
| Gói / Trường hợp | TO-247-3 |
| Gói Thiết bị Nhà cung cấp | T-MAX™ [B2] |
| Hình ảnh | Một phần số | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Trong kho | Lượt xem | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
APT90DR160HJ | Microsemi Corporation | DIODE MODULE 1.6V SOT227 | - | 0 | Chi tiết |
 |
APT94N60L2C3G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 94A TO264 | - | 17 | Chi tiết |
 |
APT94N65B2C3G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 650V 94A TO-247 | - | 0 | Chi tiết |
 |
APT94N65B2C6 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 650V 95A T-MAX | - | 358 | Chi tiết |
 |
APT95GR65B2 | Microsemi Corporation | IGBT 650V 208A 892W T-MAX | - | 60 | Chi tiết |
 |
APT95GR65JDU60 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | - | 0 | Chi tiết |
|
APT97N65LC6 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 650V 97A TO-264 | - | 0 | Chi tiết |
 |
APT9F100B | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247 | - | 6 | Chi tiết |
 |
APT9F100S | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 9A D3PAK | - | 0 | Chi tiết |
 |
APT9M100B | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247 | - | 0 | Chi tiết |