Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.
| Một phần số | APT94N65B2C6 |
|---|---|
| Trạng thái phần | Active |
| Loại FET | N-Channel |
| Công nghệ | MOSFET (Metal Oxide) |
| Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) | 650V |
| Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C | 95A (Tc) |
| Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 3.5mA |
| Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs | 320nC @ 10V |
| Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds | 8140pF @ 25V |
| Vgs (Tối đa) | ±20V |
| Tính năng FET | Super Junction |
| Công suất Tối đa (Tối đa) | 833W (Tc) |
| Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 35.2A, 10V |
| Nhiệt độ hoạt động | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Kiểu lắp | Through Hole |
| Gói Thiết bị Nhà cung cấp | T-MAX™ [B2] |
| Gói / Trường hợp | TO-247-3 Variant |
| Hình ảnh | Một phần số | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Trong kho | Lượt xem | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
APT90DR160HJ | Microsemi Corporation | DIODE MODULE 1.6V SOT227 | - | 0 | Chi tiết |
 |
APT94N60L2C3G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 94A TO264 | - | 17 | Chi tiết |
 |
APT94N65B2C3G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 650V 94A TO-247 | - | 0 | Chi tiết |
 |
APT94N65B2C6 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 650V 95A T-MAX | - | 358 | Chi tiết |
 |
APT95GR65B2 | Microsemi Corporation | IGBT 650V 208A 892W T-MAX | - | 60 | Chi tiết |
 |
APT95GR65JDU60 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | - | 0 | Chi tiết |
|
APT97N65LC6 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 650V 97A TO-264 | - | 0 | Chi tiết |
 |
APT9F100B | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247 | - | 6 | Chi tiết |
 |
APT9F100S | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 9A D3PAK | - | 0 | Chi tiết |
 |
APT9M100B | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247 | - | 0 | Chi tiết |