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| 品番 | APT95GR65B2 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| IGBTタイプ | NPT |
| 電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） | 650V |
| 電流 - コレクタ（Ic）（最大） | 208A |
| 電流 - コレクタパルス（Icm） | 400A |
| Vce（on）（Max）@ Vge、Ic | 2.4V @ 15V, 95A |
| 電力 - 最大 | 892W |
| スイッチングエネルギー | 3.12mJ (on), 2.55mJ (off) |
| 入力方式 | Standard |
| ゲートチャージ | 420nC |
| Td（オン/オフ）@ 25℃ | 29ns/226ns |
| テスト条件 | 433V, 95A, 4.3 Ohm, 15V |
| 逆回復時間（trr） | - |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 |
| サプライヤデバイスパッケージ | T-MAX™ [B2] |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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APT90DR160HJ | Microsemi Corporation | DIODE MODULE 1.6V SOT227 | - | 0 | 詳細 |
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APT94N60L2C3G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 94A TO264 | - | 17 | 詳細 |
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APT94N65B2C3G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 650V 94A TO-247 | - | 0 | 詳細 |
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APT94N65B2C6 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 650V 95A T-MAX | - | 358 | 詳細 |
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APT95GR65B2 | Microsemi Corporation | IGBT 650V 208A 892W T-MAX | - | 60 | 詳細 |
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APT95GR65JDU60 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | - | 0 | 詳細 |
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APT97N65LC6 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 650V 97A TO-264 | - | 0 | 詳細 |
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APT9F100B | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247 | - | 6 | 詳細 |
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APT9F100S | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 9A D3PAK | - | 0 | 詳細 |
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APT9M100B | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247 | - | 0 | 詳細 |