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부품 번호 | QS8M12TCR |
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부품 상태 | Active |
FET 유형 | N and P-Channel |
FET 기능 | Logic Level Gate |
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 30V |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 4A |
Rds On (최대) @ Id, Vgs | 42 mOhm @ 4A, 10V |
Vgs (th) (최대) @ Id | 2.5V @ 1mA |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 3.4nC @ 5V |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 250pF @ 10V |
전력 - 최대 | 1.5W |
작동 온도 | 150°C (TJ) |
실장 형 | Surface Mount |
패키지 / 케이스 | 8-SMD, Flat Lead |
공급 업체 장치 패키지 | TSMT8 |