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Numéro d'article | QS8M12TCR |
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État de la pièce | Active |
FET Type | N and P-Channel |
FET Caractéristique | Logic Level Gate |
Drain à la tension de source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 4A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42 mOhm @ 4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 3.4nC @ 5V |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 250pF @ 10V |
Puissance - Max | 1.5W |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / cas | 8-SMD, Flat Lead |
Package de périphérique fournisseur | TSMT8 |