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Número de pieza | QS8M12TCR |
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Estado de la pieza | Active |
Tipo de FET | N and P-Channel |
Característica FET | Logic Level Gate |
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 4A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42 mOhm @ 4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 3.4nC @ 5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 250pF @ 10V |
Potencia - Max | 1.5W |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / caja | 8-SMD, Flat Lead |
Paquete de dispositivo del proveedor | TSMT8 |