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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
品番 | QS8M12TCR |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | N and P-Channel |
FET機能 | Logic Level Gate |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 30V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 4A |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 42 mOhm @ 4A, 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 2.5V @ 1mA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 3.4nC @ 5V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 250pF @ 10V |
電力 - 最大 | 1.5W |
動作温度 | 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
パッケージ/ケース | 8-SMD, Flat Lead |
サプライヤデバイスパッケージ | TSMT8 |