画像は参考用です。
製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
| 品番 | BSM180C12P2E202 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 1200V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 204A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | - |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4V @ 35.2mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | - |
| Vgs（最大） | +22V, -6V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 20000pF @ 10V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 1360W (Tc) |
| 動作温度 | 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Chassis Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | Module |
| パッケージ/ケース | Module |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
BSM180C12P2E202 | Rohm Semiconductor | BSM180C12P2E202 IS A SIC SILICO | - | 116 | 詳細 |
 |
BSM180D12P2C101 | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE | 34 | 詳細 | |
|
BSM180D12P3C007 | Rohm Semiconductor | SIC POWER MODULE | - | 11 | 詳細 |