BSM180D12P3C007

SIC POWER MODULE
BSM180D12P3C007 P1
BSM180D12P3C007 P1
画像は参考用です。
製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

Rohm Semiconductor ~ BSM180D12P3C007

品番
BSM180D12P3C007
メーカー
Rohm Semiconductor
説明
SIC POWER MODULE
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
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製品パラメータ

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品番 BSM180D12P3C007
部品ステータス Active
FETタイプ 2 N-Channel (Dual)
FET機能 Standard
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 1200V (1.2kV)
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) -
Rds On(Max)@ Id、Vgs -
Vgs(th)(Max)@ Id 5.6V @ 50mA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs -
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 900pF @ 10V
電力 - 最大 880W
動作温度 175°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース Module
サプライヤデバイスパッケージ Module

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