Resimler sadece referans amaçlıdır.
Ürün detayları için Ürün Teknik Özellikleri bölümüne bakınız.
Parça numarası | BSM180C12P2E202 |
---|---|
Parça Durumu | Active |
FET Tipi | N-Channel |
teknoloji | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Kaynak Gerilimine Boşaltma (Vdss) | 1200V |
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id) | 204A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds Açık (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 35.2mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Maks.) | +22V, -6V |
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds | 20000pF @ 10V |
FET Özelliği | - |
Güç Dağılımı (Maks.) | 1360W (Tc) |
Çalışma sıcaklığı | 175°C (TJ) |
Montaj tipi | Chassis Mount |
Tedarikçi Aygıt Paketi | Module |
Paket / Durum | Module |