BSM180D12P2C101

MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
BSM180D12P2C101 P1
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Rohm Semiconductor ~ BSM180D12P2C101

品番
BSM180D12P2C101
メーカー
Rohm Semiconductor
説明
MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
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品番 BSM180D12P2C101
部品ステータス Active
FETタイプ 2 N-Channel (Half Bridge)
FET機能 Standard
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 1200V (1.2kV)
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 180A
Rds On(Max)@ Id、Vgs -
Vgs(th)(Max)@ Id 4V @ 35.2mA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs -
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 23000pF @ 10V
電力 - 最大 1130W
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ -
パッケージ/ケース Module
サプライヤデバイスパッケージ Module

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