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| 品番 | APT94N65B2C6 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 650V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 95A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 3.5V @ 3.5mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 320nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 8140pF @ 25V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | Super Junction |
| 消費電力（最大） | 833W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 35 mOhm @ 35.2A, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | T-MAX™ [B2] |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 Variant |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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APT90DR160HJ | Microsemi Corporation | DIODE MODULE 1.6V SOT227 | - | 0 | 詳細 |
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APT94N60L2C3G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 94A TO264 | - | 17 | 詳細 |
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APT94N65B2C3G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 650V 94A TO-247 | - | 0 | 詳細 |
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APT94N65B2C6 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 650V 95A T-MAX | - | 358 | 詳細 |
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APT95GR65B2 | Microsemi Corporation | IGBT 650V 208A 892W T-MAX | - | 60 | 詳細 |
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APT95GR65JDU60 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | - | 0 | 詳細 |
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APT97N65LC6 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 650V 97A TO-264 | - | 0 | 詳細 |
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APT9F100B | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247 | - | 6 | 詳細 |
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APT9F100S | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 9A D3PAK | - | 0 | 詳細 |
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APT9M100B | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247 | - | 0 | 詳細 |