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| Número de pieza | QH8MA2TCR |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N and P-Channel |
| Característica FET | Logic Level Gate |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 4.5A, 3A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 4.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 8.4nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 365pF @ 10V |
| Potencia - Max | 1.25W |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | 8-SMD, Flat Lead |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TSMT8 |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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QH8JA1TCR | Rohm Semiconductor | 20V PCH+PCH MIDDLE POWER MOSFET, | - | 3000 | Detalles |
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QH8KA1TCR | Rohm Semiconductor | 30V NCH+NCH POWER MOSFET | - | 0 | Detalles |
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QH8KA2TCR | Rohm Semiconductor | 30V NCH+NCH POWER MOSFET | - | 0 | Detalles |
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QH8KA4TCR | Rohm Semiconductor | 30V NCH NCH MIDDLE POWER MOSFET | - | 2475 | Detalles |
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QH8MA2TCR | Rohm Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V 4.5A/3A TSMT8 | 0 | Detalles | |
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QH8MA3TCR | Rohm Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V TSMT8 | 0 | Detalles | |
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QH8MA4TCR | Rohm Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V TSMT8 | 0 | Detalles |