QH8MA2TCR

MOSFET N/P-CH 30V 4.5A/3A TSMT8
QH8MA2TCR P1
QH8MA2TCR P1
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Rohm Semiconductor ~ QH8MA2TCR

Numéro d'article
QH8MA2TCR
Fabricant
Rohm Semiconductor
La description
MOSFET N/P-CH 30V 4.5A/3A TSMT8
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article QH8MA2TCR
État de la pièce Active
FET Type N and P-Channel
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 4.5A, 3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 8.4nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 365pF @ 10V
Puissance - Max 1.25W
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SMD, Flat Lead
Package de périphérique fournisseur TSMT8

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