QH8KA4TCR

30V NCH NCH MIDDLE POWER MOSFET
QH8KA4TCR P1
QH8KA4TCR P1
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Rohm Semiconductor ~ QH8KA4TCR

Número de pieza
QH8KA4TCR
Fabricante
Rohm Semiconductor
Descripción
30V NCH NCH MIDDLE POWER MOSFET
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
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Número de pieza QH8KA4TCR
Estado de la pieza Active
Tipo de FET 2 N-Channel (Dual)
Característica FET -
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1400pF @ 10V
Potencia - Max 1.5W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 8-SMD, Flat Lead
Paquete de dispositivo del proveedor TSMT8

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