QH8MA4TCR

MOSFET N/P-CH 30V TSMT8
QH8MA4TCR P1
QH8MA4TCR P1
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Rohm Semiconductor ~ QH8MA4TCR

Número de pieza
QH8MA4TCR
Fabricante
Rohm Semiconductor
Descripción
MOSFET N/P-CH 30V TSMT8
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
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Número de pieza QH8MA4TCR
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N and P-Channel
Característica FET Standard
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 9A, 8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 15.5nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 640pF @ 15V
Potencia - Max 1.5W
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 8-SMD, Flat Lead
Paquete de dispositivo del proveedor TSMT8

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