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| Numero di parte | QH8MA2TCR |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N and P-Channel |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.5A, 3A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 4.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.4nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 365pF @ 10V |
| Potenza - Max | 1.25W |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 8-SMD, Flat Lead |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TSMT8 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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QH8JA1TCR | Rohm Semiconductor | 20V PCH+PCH MIDDLE POWER MOSFET, | - | 3000 | Dettagli |
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QH8KA1TCR | Rohm Semiconductor | 30V NCH+NCH POWER MOSFET | - | 0 | Dettagli |
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QH8KA2TCR | Rohm Semiconductor | 30V NCH+NCH POWER MOSFET | - | 0 | Dettagli |
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QH8KA4TCR | Rohm Semiconductor | 30V NCH NCH MIDDLE POWER MOSFET | - | 2475 | Dettagli |
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QH8MA2TCR | Rohm Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V 4.5A/3A TSMT8 | 0 | Dettagli | |
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QH8MA3TCR | Rohm Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V TSMT8 | 0 | Dettagli | |
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QH8MA4TCR | Rohm Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V TSMT8 | 0 | Dettagli |