Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.
| Một phần số | SI9910DJ-E3 |
|---|---|
| Trạng thái phần | Obsolete |
| Cấu hình Driven | High-Side |
| Loại Kênh | Single |
| Số lượng trình điều khiển | 1 |
| Loại cổng | N-Channel MOSFET |
| Cung cấp điện áp | 10.8 V ~ 16.5 V |
| Điện thế Logic - VIL, VIH | - |
| Hiện tại - Peak Output (Nguồn, Sink) | 1A, 1A |
| Kiểu đầu vào | Non-Inverting |
| Điện áp cao - Max (Bootstrap) | 500V |
| Tăng / giảm thời gian (Typ) | 50ns, 35ns |
| Nhiệt độ hoạt động | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Kiểu lắp | Through Hole |
| Gói / Trường hợp | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Gói Thiết bị Nhà cung cấp | 8-PDIP |
| Hình ảnh | Một phần số | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Trong kho | Lượt xem | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI9910DJ-E3 | Vishay Siliconix | IC MOSFET DVR ADAPTIVE PWR 8DIP | - | 0 | Chi tiết |
 |
SI9910DY-E3 | Vishay Siliconix | IC MOSFET DVR ADAPTIVE PWR 8SOIC | - | 0 | Chi tiết |
 |
SI9910DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | IC MOSFET DVR ADAPTIVE PWR 8SOIC | - | 0 | Chi tiết |
 |
SI9912DY-E3 | Vishay Siliconix | IC DRIVER GATE HALF BRIDGE 8SOIC | - | 0 | Chi tiết |
 |
SI9912DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | IC DRIVER GATE HALF BRIDGE 8SOIC | - | 0 | Chi tiết |
 |
SI9913DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | IC DRIVER GATE HALF BRIDGE 8SOIC | 0 | Chi tiết | |
 |
SI9926BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC | - | 0 | Chi tiết |
 |
SI9926BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC | - | 0 | Chi tiết |
 |
SI9926CDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOIC | - | 0 | Chi tiết |
 |
SI9926CDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOIC | - | 37500 | Chi tiết |
 |
SI9933BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 8-SOIC | - | 0 | Chi tiết |
 |
SI9933CDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC | - | 0 | Chi tiết |