Les images sont fournies à titre indicatif.
Voir les caractéristiques du produit pour plus de détails.
| Numéro d'article | SI9910DJ-E3 |
|---|---|
| État de la pièce | Obsolete |
| Configuration pilotée | High-Side |
| Type de canal | Single |
| Nombre de pilotes | 1 |
| Type de porte | N-Channel MOSFET |
| Tension - Alimentation | 10.8 V ~ 16.5 V |
| Tension logique - VIL, VIH | - |
| Courant - sortie de crête (source, évier) | 1A, 1A |
| Type d'entrée | Non-Inverting |
| Tension latérale élevée - Max (Bootstrap) | 500V |
| Rise / Fall Time (Typ) | 50ns, 35ns |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / cas | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Package de périphérique fournisseur | 8-PDIP |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI9910DJ-E3 | Vishay Siliconix | IC MOSFET DVR ADAPTIVE PWR 8DIP | - | 0 | Détails |
 |
SI9910DY-E3 | Vishay Siliconix | IC MOSFET DVR ADAPTIVE PWR 8SOIC | - | 0 | Détails |
 |
SI9910DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | IC MOSFET DVR ADAPTIVE PWR 8SOIC | - | 0 | Détails |
 |
SI9912DY-E3 | Vishay Siliconix | IC DRIVER GATE HALF BRIDGE 8SOIC | - | 0 | Détails |
 |
SI9912DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | IC DRIVER GATE HALF BRIDGE 8SOIC | - | 0 | Détails |
 |
SI9913DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | IC DRIVER GATE HALF BRIDGE 8SOIC | 0 | Détails | |
 |
SI9926BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC | - | 0 | Détails |
 |
SI9926BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC | - | 0 | Détails |
 |
SI9926CDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOIC | - | 0 | Détails |
 |
SI9926CDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOIC | - | 37500 | Détails |
 |
SI9933BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 8-SOIC | - | 0 | Détails |
 |
SI9933CDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC | - | 0 | Détails |