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| Número de pieza | SI9910DJ-E3 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Configuración Impulsada | High-Side |
| Tipo de canal | Single |
| Cantidad de controladores | 1 |
| Tipo de puerta | N-Channel MOSFET |
| Suministro de voltaje | 10.8 V ~ 16.5 V |
| Voltaje lógico - VIL, VIH | - |
| Actual - Salida máxima (Fuente, Sumidero) | 1A, 1A |
| Tipo de entrada | Non-Inverting |
| Alto voltaje lateral - Máx. (Bootstrap) | 500V |
| Tiempo de subida / bajada (Tipo) | 50ns, 35ns |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / caja | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 8-PDIP |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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SI9910DJ-E3 | Vishay Siliconix | IC MOSFET DVR ADAPTIVE PWR 8DIP | - | 0 | Detalles |
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SI9910DY-E3 | Vishay Siliconix | IC MOSFET DVR ADAPTIVE PWR 8SOIC | - | 0 | Detalles |
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SI9910DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | IC MOSFET DVR ADAPTIVE PWR 8SOIC | - | 0 | Detalles |
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SI9912DY-E3 | Vishay Siliconix | IC DRIVER GATE HALF BRIDGE 8SOIC | - | 0 | Detalles |
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SI9912DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | IC DRIVER GATE HALF BRIDGE 8SOIC | - | 0 | Detalles |
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SI9913DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | IC DRIVER GATE HALF BRIDGE 8SOIC | 0 | Detalles | |
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SI9926BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC | - | 0 | Detalles |
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SI9926BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC | - | 0 | Detalles |
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SI9926CDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOIC | - | 0 | Detalles |
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SI9926CDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOIC | - | 37500 | Detalles |
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SI9933BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 8-SOIC | - | 0 | Detalles |
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SI9933CDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC | - | 0 | Detalles |