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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SI9910DJ-E3 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| Angetriebene Konfiguration | High-Side |
| Kanaltyp | Single |
| Anzahl der Treiber | 1 |
| Tortyp | N-Channel MOSFET |
| Spannungsversorgung | 10.8 V ~ 16.5 V |
| Logikspannung - VIL, VIH | - |
| Aktuell - Spitzenleistung (Quelle, Senke) | 1A, 1A |
| Eingabetyp | Non-Inverting |
| Hohe Seitenspannung - Max (Bootstrap) | 500V |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | 50ns, 35ns |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Lieferantengerätepaket | 8-PDIP |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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SI9910DJ-E3 | Vishay Siliconix | IC MOSFET DVR ADAPTIVE PWR 8DIP | - | 0 | Einzelheiten |
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SI9910DY-E3 | Vishay Siliconix | IC MOSFET DVR ADAPTIVE PWR 8SOIC | - | 0 | Einzelheiten |
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SI9910DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | IC MOSFET DVR ADAPTIVE PWR 8SOIC | - | 0 | Einzelheiten |
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SI9912DY-E3 | Vishay Siliconix | IC DRIVER GATE HALF BRIDGE 8SOIC | - | 0 | Einzelheiten |
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SI9912DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | IC DRIVER GATE HALF BRIDGE 8SOIC | - | 0 | Einzelheiten |
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SI9913DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | IC DRIVER GATE HALF BRIDGE 8SOIC | 0 | Einzelheiten | |
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SI9926BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC | - | 0 | Einzelheiten |
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SI9926BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC | - | 0 | Einzelheiten |
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SI9926CDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOIC | - | 0 | Einzelheiten |
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SI9926CDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOIC | - | 37500 | Einzelheiten |
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SI9933BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 8-SOIC | - | 0 | Einzelheiten |
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SI9933CDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC | - | 0 | Einzelheiten |