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| Numero di parte | APT94N65B2C6 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 95A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 3.5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 320nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 8140pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | Super Junction |
| Dissipazione di potenza (max) | 833W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 35.2A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | T-MAX™ [B2] |
| Pacchetto / caso | TO-247-3 Variant |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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APT90DR160HJ | Microsemi Corporation | DIODE MODULE 1.6V SOT227 | - | 0 | Dettagli |
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APT94N60L2C3G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 94A TO264 | - | 17 | Dettagli |
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APT94N65B2C3G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 650V 94A TO-247 | - | 0 | Dettagli |
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APT94N65B2C6 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 650V 95A T-MAX | - | 358 | Dettagli |
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APT95GR65B2 | Microsemi Corporation | IGBT 650V 208A 892W T-MAX | - | 60 | Dettagli |
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APT95GR65JDU60 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | - | 0 | Dettagli |
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APT97N65LC6 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 650V 97A TO-264 | - | 0 | Dettagli |
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APT9F100B | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247 | - | 6 | Dettagli |
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APT9F100S | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 9A D3PAK | - | 0 | Dettagli |
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APT9M100B | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247 | - | 0 | Dettagli |