Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.
| Một phần số | APT33GF120BRG |
|---|---|
| Trạng thái phần | Active |
| Loại IGBT | NPT |
| Điện áp - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 52A |
| Hiện tại - Collector Pulsed (Icm) | 104A |
| VCE (bật) (tối đa) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 25A |
| Sức mạnh tối đa | 297W |
| Chuyển đổi năng lượng | 2.8mJ (on), 2.8mJ (off) |
| Kiểu đầu vào | Standard |
| Phụ trách cổng | 170nC |
| Td (bật / tắt) @ 25 ° C | 25ns/210ns |
| Điều kiện kiểm tra | - |
| Thời gian phục hồi ngược (trr) | - |
| Nhiệt độ hoạt động | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Kiểu lắp | Through Hole |
| Gói / Trường hợp | TO-247-3 |
| Gói Thiết bị Nhà cung cấp | TO-247 [B] |
| Hình ảnh | Một phần số | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Trong kho | Lượt xem | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
APT33GF120B2RDQ2G | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 64A 357W TMAX | - | 10 | Chi tiết |
 |
APT33GF120BRG | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 52A 297W TO247 | - | 183 | Chi tiết |
 |
APT33GF120LRDQ2G | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 64A 357W TO264 | - | 0 | Chi tiết |
 |
APT33N90JCCU2 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 | - | 0 | Chi tiết |
 |
APT33N90JCCU3 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 | - | 0 | Chi tiết |
 |
APT33N90JCU2 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 | - | 0 | Chi tiết |
 |
APT33N90JCU3 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 | - | 0 | Chi tiết |