Las imágenes son sólo para referencia.
Ver especificaciones del producto para detalles del producto.
| Número de pieza | APT33GF120BRG |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de IGBT | NPT |
| Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) | 1200V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 52A |
| Corriente - colector pulsado (Icm) | 104A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 25A |
| Potencia - Max | 297W |
| Conmutación de energía | 2.8mJ (on), 2.8mJ (off) |
| Tipo de entrada | Standard |
| Cargo de puerta | 170nC |
| Td (encendido / apagado) a 25 ° C | 25ns/210ns |
| Condición de prueba | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | - |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / caja | TO-247-3 |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-247 [B] |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
APT33GF120B2RDQ2G | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 64A 357W TMAX | - | 10 | Detalles |
 |
APT33GF120BRG | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 52A 297W TO247 | - | 183 | Detalles |
 |
APT33GF120LRDQ2G | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 64A 357W TO264 | - | 0 | Detalles |
 |
APT33N90JCCU2 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 | - | 0 | Detalles |
 |
APT33N90JCCU3 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 | - | 0 | Detalles |
 |
APT33N90JCU2 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 | - | 0 | Detalles |
 |
APT33N90JCU3 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 | - | 0 | Detalles |