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| Numero di parte | APT33GF120BRG |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo IGBT | NPT |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 52A |
| Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 104A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 25A |
| Potenza - Max | 297W |
| Cambiare energia | 2.8mJ (on), 2.8mJ (off) |
| Tipo di input | Standard |
| Carica del cancello | 170nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 25ns/210ns |
| Condizione di test | - |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | TO-247-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 [B] |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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APT33GF120B2RDQ2G | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 64A 357W TMAX | - | 10 | Dettagli |
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APT33GF120BRG | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 52A 297W TO247 | - | 183 | Dettagli |
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APT33GF120LRDQ2G | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 64A 357W TO264 | - | 0 | Dettagli |
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APT33N90JCCU2 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 | - | 0 | Dettagli |
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APT33N90JCCU3 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 | - | 0 | Dettagli |
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APT33N90JCU2 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 | - | 0 | Dettagli |
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APT33N90JCU3 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 | - | 0 | Dettagli |