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| Numéro d'article | APT33GF120BRG |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type d'IGBT | NPT |
| Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 1200V |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 52A |
| Courant - Collecteur pulsé (Icm) | 104A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 25A |
| Puissance - Max | 297W |
| Échange d'énergie | 2.8mJ (on), 2.8mJ (off) |
| Type d'entrée | Standard |
| Charge de porte | 170nC |
| Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 25ns/210ns |
| Condition de test | - |
| Temps de récupération inverse (trr) | - |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / cas | TO-247-3 |
| Package de périphérique fournisseur | TO-247 [B] |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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APT33GF120B2RDQ2G | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 64A 357W TMAX | - | 10 | Détails |
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APT33GF120BRG | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 52A 297W TO247 | - | 183 | Détails |
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APT33GF120LRDQ2G | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 64A 357W TO264 | - | 0 | Détails |
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APT33N90JCCU2 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 | - | 0 | Détails |
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APT33N90JCCU3 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 | - | 0 | Détails |
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APT33N90JCU2 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 | - | 0 | Détails |
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APT33N90JCU3 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 | - | 0 | Détails |