Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.
| Một phần số | APT102GA60L |
|---|---|
| Trạng thái phần | Active |
| Loại IGBT | PT |
| Điện áp - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 183A |
| Hiện tại - Collector Pulsed (Icm) | 307A |
| VCE (bật) (tối đa) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 62A |
| Sức mạnh tối đa | 780W |
| Chuyển đổi năng lượng | 1.354mJ (on), 1.614mJ (off) |
| Kiểu đầu vào | Standard |
| Phụ trách cổng | 294nC |
| Td (bật / tắt) @ 25 ° C | 28ns/212ns |
| Điều kiện kiểm tra | 400V, 62A, 4.7 Ohm, 15V |
| Thời gian phục hồi ngược (trr) | - |
| Nhiệt độ hoạt động | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Kiểu lắp | Through Hole |
| Gói / Trường hợp | TO-264-3, TO-264AA |
| Gói Thiết bị Nhà cung cấp | TO-264 [L] |
| Hình ảnh | Một phần số | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Trong kho | Lượt xem | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
APT1001R1BN | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1KV 10.5A TO247AD | 0 | Chi tiết | |
|
APT1001RBN | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1KV 11A TO247AD | 0 | Chi tiết | |
 |
APT10021JFLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227 | - | 0 | Chi tiết |
 |
APT10021JLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227 | - | 14 | Chi tiết |
|
APT1002RBNG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1KV 8A TO247AD | - | 0 | Chi tiết |
 |
APT10035B2FLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX | - | 3 | Chi tiết |
 |
APT10035B2LLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX | - | 0 | Chi tiết |
 |
APT10035JLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227 | - | 0 | Chi tiết |
 |
APT10035LLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264 | - | 7 | Chi tiết |
 |
APT1003RBLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247 | - | 30 | Chi tiết |
 |
APT1003RKLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220 | 0 | Chi tiết | |
 |
APT10045B2LLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 23A T-MAX | - | 6 | Chi tiết |