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| Numero di parte | APT102GA60L |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo IGBT | PT |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 183A |
| Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 307A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 62A |
| Potenza - Max | 780W |
| Cambiare energia | 1.354mJ (on), 1.614mJ (off) |
| Tipo di input | Standard |
| Carica del cancello | 294nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 28ns/212ns |
| Condizione di test | 400V, 62A, 4.7 Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | TO-264-3, TO-264AA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-264 [L] |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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APT1001R1BN | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1KV 10.5A TO247AD | 0 | Dettagli | |
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APT1001RBN | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1KV 11A TO247AD | 0 | Dettagli | |
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APT10021JFLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227 | - | 0 | Dettagli |
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APT10021JLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227 | - | 14 | Dettagli |
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APT1002RBNG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1KV 8A TO247AD | - | 0 | Dettagli |
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APT10035B2FLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX | - | 3 | Dettagli |
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APT10035B2LLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX | - | 0 | Dettagli |
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APT10035JLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227 | - | 0 | Dettagli |
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APT10035LLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264 | - | 7 | Dettagli |
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APT1003RBLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247 | - | 30 | Dettagli |
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APT1003RKLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220 | 0 | Dettagli | |
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APT10045B2LLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 23A T-MAX | - | 6 | Dettagli |