| номер части | APT102GA60L |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип IGBT | PT |
| Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) | 600V |
| Ток - коллектор (Ic) (макс.) | 183A |
| Текущий - коллектор импульсный (Icm) | 307A |
| Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 62A |
| Мощность - макс. | 780W |
| Энергия переключения | 1.354mJ (on), 1.614mJ (off) |
| Тип ввода | Standard |
| Ворота затвора | 294nC |
| Td (вкл. / Выкл.) При 25 ° C | 28ns/212ns |
| Условия тестирования | 400V, 62A, 4.7 Ohm, 15V |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка / чехол | TO-264-3, TO-264AA |
| Пакет устройств поставщика | TO-264 [L] |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
APT1001R1BN | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1KV 10.5A TO247AD | 0 | подробности | |
|
APT1001RBN | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1KV 11A TO247AD | 0 | подробности | |
 |
APT10021JFLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227 | - | 0 | подробности |
 |
APT10021JLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227 | - | 14 | подробности |
|
APT1002RBNG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1KV 8A TO247AD | - | 0 | подробности |
 |
APT10035B2FLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX | - | 3 | подробности |
 |
APT10035B2LLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX | - | 0 | подробности |
 |
APT10035JLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227 | - | 0 | подробности |
 |
APT10035LLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264 | - | 7 | подробности |
 |
APT1003RBLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247 | - | 30 | подробности |
 |
APT1003RKLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220 | 0 | подробности | |
 |
APT10045B2LLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 23A T-MAX | - | 6 | подробности |
