APTGT200DH60G

IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6
APTGT200DH60G P1
APTGT200DH60G P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Microsemi Corporation ~ APTGT200DH60G

номер части
APTGT200DH60G
производитель
Microsemi Corporation
Описание
IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- APTGT200DH60G PDF online browsing
семья
Транзисторы - IGBT - Модули
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части APTGT200DH60G
Статус детали Active
Тип IGBT Trench Field Stop
конфигурация Asymmetrical Bridge
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 600V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 290A
Мощность - макс. 625W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 200A
Ток - отсечка коллектора (макс.) 250µA
Входная емкость (Cies) @ Vce 12.3nF @ 25V
вход Standard
Термистор NTC No
Рабочая Температура -40°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа Chassis Mount
Упаковка / чехол SP6
Пакет устройств поставщика SP6

сопутствующие товары

Все продукты