APTGT200DH60G

IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6
APTGT200DH60G P1
APTGT200DH60G P1
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Microsemi Corporation ~ APTGT200DH60G

Numéro d'article
APTGT200DH60G
Fabricant
Microsemi Corporation
La description
IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- APTGT200DH60G PDF online browsing
Famille
Transistors - IGBT - Modules
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Numéro d'article APTGT200DH60G
État de la pièce Active
Type d'IGBT Trench Field Stop
Configuration Asymmetrical Bridge
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 290A
Puissance - Max 625W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 200A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 250µA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 12.3nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC No
Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas SP6
Package de périphérique fournisseur SP6

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