APTGT100A602G

MOD IGBT 600V 150A SP2
APTGT100A602G P1
APTGT100A602G P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Microsemi Corporation ~ APTGT100A602G

номер части
APTGT100A602G
производитель
Microsemi Corporation
Описание
MOD IGBT 600V 150A SP2
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- APTGT100A602G PDF online browsing
семья
Транзисторы - IGBT - Модули
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части APTGT100A602G
Статус детали Active
Тип IGBT Trench Field Stop
конфигурация Half Bridge
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 600V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 150A
Мощность - макс. 340W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 100A
Ток - отсечка коллектора (макс.) 50µA
Входная емкость (Cies) @ Vce 6.1nF @ 25V
вход Standard
Термистор NTC No
Рабочая Температура -40°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа Through Hole
Упаковка / чехол SP2
Пакет устройств поставщика SP2

сопутствующие товары

Все продукты