APTGT200DH60G

IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6
APTGT200DH60G P1
APTGT200DH60G P1
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Microsemi Corporation ~ APTGT200DH60G

Número de pieza
APTGT200DH60G
Fabricante
Microsemi Corporation
Descripción
IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - IGBT - Módulos
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Número de pieza APTGT200DH60G
Estado de la pieza Active
Tipo de IGBT Trench Field Stop
Configuración Asymmetrical Bridge
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 600V
Current - Collector (Ic) (Max) 290A
Potencia - Max 625W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 200A
Corriente - corte de colector (máximo) 250µA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce 12.3nF @ 25V
Entrada Standard
Termistor NTC No
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete / caja SP6
Paquete de dispositivo del proveedor SP6

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