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부품 번호 | PHD38N02LT,118 |
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부품 상태 | Active |
FET 유형 | N-Channel |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 20V |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 44.7A (Tc) |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 5V |
Vgs (th) (최대) @ Id | 1.5V @ 250µA |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 15.1nC @ 5V |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 800pF @ 20V |
Vgs (최대) | ±12V |
FET 기능 | - |
전력 발산 (최대) | 57.6W (Tc) |
Rds On (최대) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 25A, 5V |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
실장 형 | Surface Mount |
공급 업체 장치 패키지 | DPAK |
패키지 / 케이스 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |