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| Numéro d'article | PHD38N02LT,118 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 20V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 44.7A (Tc) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 15.1nC @ 5V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 800pF @ 20V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 57.6W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 25A, 5V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | DPAK |
| Paquet / cas | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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PHD38N02LT,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 20V 44.7A DPAK | 0 | Détails |