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品番 | PHD38N02LT,118 |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 20V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 44.7A (Tc) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 5V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 1.5V @ 250µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 15.1nC @ 5V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 800pF @ 20V |
Vgs(最大) | ±12V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 57.6W (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 16 mOhm @ 25A, 5V |
動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | DPAK |
パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |