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| 品番 | VS-ETF075Y60U |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| IGBTタイプ | Trench |
| 構成 | Three Level Inverter |
| 電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） | 600V |
| 電流 - コレクタ（Ic）（最大） | 109A |
| 電力 - 最大 | 294W |
| Vce（on）（Max）@ Vge、Ic | 1.93V @ 15V, 75A |
| 電流 - コレクタ遮断（最大） | 100µA |
| 入力容量（Cies）@ Vce | 4.44nF @ 30V |
| 入力 | Standard |
| NTCサーミスタ | Yes |
| 動作温度 | 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Chassis Mount |
| パッケージ/ケース | EMIPAK-2B |
| サプライヤデバイスパッケージ | EMIPAK-2B |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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VS-ETF075Y60U | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 109A 294W EMIPAK-2B | - | 15 | 詳細 |
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VS-ETF150Y65N | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 650V 150A EMIPAK-2B | - | 9 | 詳細 |
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VS-ETF150Y65U | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 650V 150A EMIPAK-2B | - | 15 | 詳細 |
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VS-ETH0806-M3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2 | - | 940 | 詳細 |
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VS-ETH0806FP-M3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2 | - | 994 | 詳細 |
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VS-ETH1506-1HM3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE HYPERFAST 15A TO-262 | - | 0 | 詳細 |
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VS-ETH1506-M3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 15A TO220-2 | - | 573 | 詳細 |
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VS-ETH1506FP-M3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 15A TO220FP | - | 990 | 詳細 |
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VS-ETH1506S-M3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 15A D2PAK | - | 590 | 詳細 |
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VS-ETH1506SHM3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE HYPERFAST 15A D2PAK | - | 0 | 詳細 |
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VS-ETH1506STRL-M3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE HYPERFAST 15A D2PAK | - | 0 | 詳細 |
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VS-ETH1506STRLHM3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE HYPERFAST 15A D2PAK | - | 0 | 詳細 |