VS-ETF075Y60U

IGBT 600V 109A 294W EMIPAK-2B
VS-ETF075Y60U P1
VS-ETF075Y60U P1
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Vishay Semiconductor Diodes Division ~ VS-ETF075Y60U

Artikelnummer
VS-ETF075Y60U
Hersteller
Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung
IGBT 600V 109A 294W EMIPAK-2B
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - IGBTs - Module
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Artikelnummer VS-ETF075Y60U
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench
Aufbau Three Level Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 109A
Leistung max 294W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 1.93V @ 15V, 75A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 100µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 4.44nF @ 30V
Eingang Standard
NTC-Thermistor Yes
Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall EMIPAK-2B
Lieferantengerätepaket EMIPAK-2B

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