画像は参考用です。
製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
| 品番 | VS-ETH0806FP-M3 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| ダイオードタイプ | Standard |
| 電圧 - DC逆（Vr）（最大） | 600V |
| 電流 - 平均整流（Io） | 8A |
| 電圧 - フォワード（Vf）（最大）@ If | 2.65V @ 8A |
| 速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 逆回復時間（trr） | 21ns |
| 電流 - 逆リーク（Vr） | 12µA @ 600V |
| 容量Vr、F | - |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パッケージ/ケース | TO-220-2 Full Pack |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-2 Full Pack |
| 動作温度 - ジャンクション | -65°C ~ 175°C |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-ETF075Y60U | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 109A 294W EMIPAK-2B | - | 15 | 詳細 |
 |
VS-ETF150Y65N | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 650V 150A EMIPAK-2B | - | 9 | 詳細 |
 |
VS-ETF150Y65U | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 650V 150A EMIPAK-2B | - | 15 | 詳細 |
 |
VS-ETH0806-M3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2 | - | 940 | 詳細 |
 |
VS-ETH0806FP-M3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2 | - | 994 | 詳細 |
 |
VS-ETH1506-1HM3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE HYPERFAST 15A TO-262 | - | 0 | 詳細 |
 |
VS-ETH1506-M3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 15A TO220-2 | - | 573 | 詳細 |
 |
VS-ETH1506FP-M3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 15A TO220FP | - | 990 | 詳細 |
 |
VS-ETH1506S-M3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 15A D2PAK | - | 590 | 詳細 |
 |
VS-ETH1506SHM3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE HYPERFAST 15A D2PAK | - | 0 | 詳細 |
 |
VS-ETH1506STRL-M3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE HYPERFAST 15A D2PAK | - | 0 | 詳細 |
 |
VS-ETH1506STRLHM3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE HYPERFAST 15A D2PAK | - | 0 | 詳細 |