BSM180D12P3C007

SIC POWER MODULE
BSM180D12P3C007 P1
BSM180D12P3C007 P1
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Rohm Semiconductor ~ BSM180D12P3C007

Artikelnummer
BSM180D12P3C007
Hersteller
Rohm Semiconductor
Beschreibung
SIC POWER MODULE
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
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Produktparameter

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Artikelnummer BSM180D12P3C007
Teilstatus Active
FET Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft Standard
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 1200V (1.2kV)
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C -
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs -
Vgs (th) (Max) @ Id 5.6V @ 50mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 900pF @ 10V
Leistung max 880W
Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall Module
Lieferantengerätepaket Module

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