Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Rohm Semiconductor ~ BSM180D12P2C101

номер части: BSM180D12P2C101
производитель: Rohm Semiconductor
Описание: MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
Бессвинцовый статус / RoHS Статус: Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация: BSM180D12P2C101.pdf BSM180D12P2C101 PDF online browsing
семья: Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы

номер части	BSM180D12P2C101
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Half Bridge)
Функция FET	Standard
Слив к источнику напряжения (Vdss)	1200V (1.2kV)
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	180A
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	-
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 35.2mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	-
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	23000pF @ 10V
Мощность - макс.	1130W
Рабочая Температура	-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	-
Упаковка / чехол	Module
Пакет устройств поставщика	Module

номер части	Производители	Описание	PDF	В наличии	Посмотреть
BSM180C12P2E202	Rohm Semiconductor	BSM180C12P2E202 IS A SIC SILICO	-	116	подробности
BSM180D12P2C101	Rohm Semiconductor	MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE		34	подробности
BSM180D12P3C007	Rohm Semiconductor	SIC POWER MODULE	-	11	подробности