IXTF6N200P3

MOSFET N-CH
IXTF6N200P3 P1
IXTF6N200P3 P1
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IXYS ~ IXTF6N200P3

品番
IXTF6N200P3
メーカー
IXYS
説明
MOSFET N-CH
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 IXTF6N200P3
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 2000V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs 4.2 Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 5V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 143nC @ 10V
Vgs(最大) ±20V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 3700pF @ 25V
FET機能 -
消費電力(最大) 215W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ ISOPLUS i4-PAC™
パッケージ/ケース ISOPLUSi5-Pak™

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