IXTF1R4N450

2500V TO 4500V VERY HI VOLT PWR
IXTF1R4N450 P1
IXTF1R4N450 P1
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IXYS ~ IXTF1R4N450

品番
IXTF1R4N450
メーカー
IXYS
説明
2500V TO 4500V VERY HI VOLT PWR
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IXTF1R4N450.pdf IXTF1R4N450 PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 IXTF1R4N450
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 4500V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 1.4A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 6V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 88nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 3300pF @ 25V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 190W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 40 Ohm @ 50mA, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ ISOPLUS i4-PAC™
パッケージ/ケース i4-Pac™-5 (3 leads)

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